Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Электронная книга
- Автор: Коллектив авторов
- Издатель: ФГУП «Издательство СО РАН»
- Год: 2013
- ISBN: 978-5-7692-0669-6, 978-5-7692-1272-7
- Цена: 349 Руб.
Знание - мощная сила, и книга - лучший фонд мудрости. И не только их... И это хороший образчик такого типа работы, которая помогает выработать рациональный взгляд на мир и на себя самого, открывая новые пути для самосовершенствования и изменения окружающего мира - "Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники"
В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO 2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Нет сомнений, что "Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники" окажется кстати и полезной в познании данной области человеческих знаний и себя.